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產(chǎn)品說明

所述C30954EH，C30955EH和C30956EH是采用雙擴散“穿透”結構的通用硅雪崩光電二極管。這些光電二極管的設計是長波響應（即>900納米）已得到增強，而不會引入任何不良屬性。

這些APD在1060納米有高達40％的量子效率。同時，該二極管保持低噪聲，低電容，以及快速的上升和下降時間特性。

為了幫助簡化許多設計需要，這些APD也在Excelitas的高性能混合前置放大器模塊類型C30659系列可用，以及前置放大器和TE冷卻器并入模塊類型 LLAM系列。請參考相應的部分本產(chǎn)品目錄中。

特征和優(yōu)點                                  應用

·在1060nm高量子效率                                    ·測距

·快速響應時間                                          ·激光雷達(光探測和測距)

·工作溫度范圍寬                                        ·YAG激光檢測

·低結電容

·密封包裝

·RoHs認證